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Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A - 130 W Through Hole TO-218
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | Central Semiconductor Corp | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | - | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-218 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-218-3 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 750 @ 6A, 3V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | - | |
Häufigkeit – Übergang | - | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | - | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 60 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 15 A | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 130 W |
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