NE85633-T1B-A

SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
NOVA-Teilenummer:
302-2020442-NE85633-T1B-A
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NE85633-T1B-A
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount 3-MINIMOLD

More Information
KategorieTransistoren – Bipolar (BJT) – RF
HerstellerRenesas
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten 3-MINIMOLD
Serie-
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
Paket/KofferTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 50 @ 20mA, 10V
Häufigkeit – Übergang7GHz
Gewinnen 11.5dB
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)12V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
TransistortypNPN
Leistung max 200mW
Andere Namen3923-NE85633-T1B-ATR

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