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RF Transistor NPN 4.5V 50mA 40GHz 200mW Surface Mount 4-TSFP
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – RF | |
Hersteller | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | 4-TSFP | |
Basisproduktnummer | BFP640 | |
Serie | - | |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz | |
Paket/Koffer | 4-SMD, Flat Leads | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V | |
Häufigkeit – Übergang | 40GHz | |
Gewinnen | 23dB | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 4.5V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 50mA | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 200mW | |
Andere Namen | BFP640FE6327INDKR SP000015118 BFP640FE6327XTINTR-ND BFP640FE6327HTSA1 BFP640FE6327XTINCT-ND BFP640FE6327XTINTR BFP640FE6327INTR BFP640FE6327XTINCT BFP640FE6327XT BFP640FE6327INCT-NDR BFP640FE6327INCT BFP640FE6327INTR-NDR |
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