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RF Transistor NPN 4.7V 50mA 46GHz 200mW Surface Mount 4-TSFP
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – RF | |
Hersteller | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | - | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | 4-TSFP | |
Basisproduktnummer | BFP640 | |
Serie | - | |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz | |
Paket/Koffer | 4-SMD, Flat Leads | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V | |
Häufigkeit – Übergang | 46GHz | |
Gewinnen | 8B ~ 30.5dB | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 4.7V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 50mA | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 200mW | |
Andere Namen | BFP640FESDE6327CT BFP 640FESD E6327TR-ND SP000607096 BFP640FESDE6327 BFP 640FESD E6327DKR-ND BFP640FESDE6327DKR BFP 640FESD E6327CT-ND BFP 640FESD E6327CT BFP 640FESD E6327DKR BFP640FESDE6327TR BFP 640FESD E6327TR |
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