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RF Transistor NPN 12V 50mA 2GHz 350mW Through Hole TO-92-3
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – RF | |
Hersteller | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-92-3 | |
Basisproduktnummer | PN517 | |
Serie | - | |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 5dB @ 200MHz | |
Paket/Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 25 @ 3mA, 1V | |
Häufigkeit – Übergang | 2GHz | |
Gewinnen | 15dB | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 12V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 50mA | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 350mW |
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