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RF Transistor NPN 60V 2A 300MHz 10W Through Hole TO-39 W/flange
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – RF | |
Hersteller | NTE Electronics, Inc | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-39 W/flange | |
Serie | - | |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - | |
Paket/Koffer | TO-39 W/flange | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 10 @ 500mA, 5V | |
Häufigkeit – Übergang | 300MHz | |
Gewinnen | - | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 60V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 2A | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 10W | |
Andere Namen | 2368-NTE224 |
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