HSG1002VE-TL-E

RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
NOVA-Teilenummer:
302-2019429-HSG1002VE-TL-E
Hersteller-Teile-Nr:
HSG1002VE-TL-E
Standardpaket:
10,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

RF Transistor NPN 3.5V 35mA 38GHz 200mW Surface Mount 4-MFPAK

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KategorieTransistoren – Bipolar (BJT) – RF
HerstellerRenesas Electronics America Inc
RoHS 1
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten 4-MFPAK
Serie-
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
Paket/Koffer4-SMD, Gull Wing
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 100 @ 5mA, 2V
Häufigkeit – Übergang38GHz
Gewinnen 8dB ~ 19.5dB
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)3.5V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 35mA
TransistortypNPN
Leistung max 200mW
Andere Namen2156-HSG1002VE-TL-E
RENRNSHSG1002VE-TL-E

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