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RF Transistor NPN 3.5V 35mA 38GHz 200mW Surface Mount 4-MFPAK
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – RF | |
Hersteller | Renesas Electronics America Inc | |
RoHS | 1 | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | 4-MFPAK | |
Serie | - | |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz | |
Paket/Koffer | 4-SMD, Gull Wing | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 100 @ 5mA, 2V | |
Häufigkeit – Übergang | 38GHz | |
Gewinnen | 8dB ~ 19.5dB | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 3.5V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 35mA | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 200mW | |
Andere Namen | 2156-HSG1002VE-TL-E RENRNSHSG1002VE-TL-E |
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