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RF Transistor NPN 10V 70mA 4.5GHz 200mW Surface Mount 3-CP
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – RF | |
Hersteller | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | 3-CP | |
Basisproduktnummer | 55GN01 | |
Serie | - | |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 1GHz | |
Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V | |
Häufigkeit – Übergang | 4.5GHz | |
Gewinnen | 9.5dB | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 10V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 70mA | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 200mW | |
Andere Namen | 55GN01CA-TB-EOSTR 55GN01CA-TB-E-ND 55GN01CA-TB-EOSDKR 2156-55GN01CA-TB-E 55GN01CA-TB-EOSCT ONSONS55GN01CA-TB-E |
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