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RF Transistor NPN 12V 80mA 7.5GHz 580mW Surface Mount MICRO-X1
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – RF | |
Hersteller | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 200°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | MICRO-X1 | |
Serie | - | |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz | |
Paket/Koffer | MICRO-X1 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 50 @ 30mA, 8V | |
Häufigkeit – Übergang | 7.5GHz | |
Gewinnen | 12.5dB ~ 13.5dB | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 12V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 80mA | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 580mW | |
Andere Namen | BFY193 (P) BFY193 (P)-ND |
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