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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 15V 100mA, 500mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt | |
Hersteller | Rohm Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | UMT6 | |
Basisproduktnummer | UMF8 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
Widerstand - Basis (R1) | 47kOhms | |
Widerstand – Emitterbasis (R2) | 47kOhms | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA | |
Häufigkeit – Übergang | 250MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 500nA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50V, 15V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA, 500mA | |
Transistortyp | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN | |
Leistung max | 150mW |
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