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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 500mW Surface Mount SOT-563
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt | |
Hersteller | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | SOT-563 | |
Basisproduktnummer | NSBC114 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | SOT-563, SOT-666 | |
Widerstand - Basis (R1) | 10kOhms | |
Widerstand – Emitterbasis (R2) | 47kOhms | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
Häufigkeit – Übergang | - | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 500nA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA | |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | |
Leistung max | 500mW | |
Andere Namen | ONSFSCNSBC114YDXV6T1G NSBC114YDXV6T1GOSCT NSBC114YDXV6T1GOSDKR NSBC114YDXV6T1GOS NSBC114YDXV6T1GOS-ND 2156-NSBC114YDXV6T1G-OS NSBC114YDXV6T1GOSTR |
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