RN1969FE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
NOVA-Teilenummer:
299-2017455-RN1969FE(TE85L,F)
Hersteller-Teile-Nr:
RN1969FE(TE85L,F)
Standardpaket:
4,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

More Information
KategorieTransistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten ES6
Basisproduktnummer RN1969
Serie-
Paket/KofferSOT-563, SOT-666
Widerstand - Basis (R1)47kOhms
Widerstand – Emitterbasis (R2)22kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Häufigkeit – Übergang250MHz
Strom – Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)50V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Transistortyp2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Leistung max 100mW
Andere NamenRN1969FE(TE85LF)TR
RN1969FE(TE85LF)DKR
RN1969FE(TE85LF)CT

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