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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) - 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt | |
Hersteller | Rohm Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | EMT6 | |
Basisproduktnummer | EMD12 | |
Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
Paket/Koffer | SOT-563, SOT-666 | |
Widerstand - Basis (R1) | 47kOhms | |
Widerstand – Emitterbasis (R2) | 47kOhms | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
Häufigkeit – Übergang | 250MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | - | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | - | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA | |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
Leistung max | 150mW | |
Andere Namen | EMD12FHAT2RTR EMD12FHAT2RCT EMD12FHAT2RDKR |
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