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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt | |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | US6 | |
Basisproduktnummer | RN4988 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
Widerstand - Basis (R1) | 22kOhms | |
Widerstand – Emitterbasis (R2) | 47kOhms | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
Häufigkeit – Übergang | 250MHz, 200MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 100µA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA | |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
Leistung max | 200mW | |
Andere Namen | RN4988(T5LFT)CT RN4988T5LFT RN4988(T5LFT)DKR RN4988(T5LFT)TR |
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