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EMH9T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
NOVA-Teilenummer:
299-2013371-EMH9T2R
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
EMH9T2R
Standardpaket:
8,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
| Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt | |
| Hersteller | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | EMT6 | |
| Basisproduktnummer | EMH9T2 | |
| Serie | - | |
| Paket/Koffer | SOT-563, SOT-666 | |
| Widerstand - Basis (R1) | 10kOhms | |
| Widerstand – Emitterbasis (R2) | 47kOhms | |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V | |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| Häufigkeit – Übergang | 250MHz | |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 500nA | |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50V | |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA | |
| Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | |
| Leistung max | 150mW | |
| Andere Namen | EMH9T2RTR EMH9T2RCT EMH9T2RDKR EMH9T2R-ND |
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