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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 300mW Surface Mount SOT-666
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt | |
Hersteller | Nexperia USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | SOT-666 | |
Basisproduktnummer | PEMH9 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | SOT-563, SOT-666 | |
Widerstand - Basis (R1) | 10kOhms | |
Widerstand – Emitterbasis (R2) | 47kOhms | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA | |
Häufigkeit – Übergang | - | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 1µA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA | |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | |
Leistung max | 300mW | |
Andere Namen | PEMH9 T/R NEXNEXPEMH9,115 2156-PEMH9,115-NEX 934056769115 568-11268-6 PEMH9,115-ND 568-11268-1 568-11268-2 568-11268-6-ND 1727-1726-1 568-11268-1-ND 1727-1726-2 568-11268-2-ND 1727-1726-6 PEMH9 T/R-ND |
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