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RN1911(T5L,F,T)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
NOVA-Teilenummer:
299-2017459-RN1911(T5L,F,T)
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
RN1911(T5L,F,T)
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6
| Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | US6 | |
| Basisproduktnummer | RN1911 | |
| Serie | - | |
| Paket/Koffer | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7kOhms | |
| Widerstand – Emitterbasis (R2) | - | |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V | |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| Häufigkeit – Übergang | 250MHz | |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) | |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50V | |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA | |
| Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | |
| Leistung max | 100mW | |
| Andere Namen | RN1911(T5LFT)TR RN1911(T5LFT)DKR RN1911(T5LFT)CT |
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