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RN2961FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
NOVA-Teilenummer:
299-2017461-RN2961FE(TE85L,F)
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
RN2961FE(TE85L,F)
Standardpaket:
4,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
| Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | ES6 | |
| Basisproduktnummer | RN2961 | |
| Serie | - | |
| Paket/Koffer | SOT-563, SOT-666 | |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7kOhms | |
| Widerstand – Emitterbasis (R2) | 4.7kOhms | |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V | |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| Häufigkeit – Übergang | 200MHz | |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) | |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50V | |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA | |
| Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
| Leistung max | 100mW | |
| Andere Namen | RN2961FE(TE85LF)TR RN2961FE(TE85LF)CT RN2961FE(TE85LF)DKR |
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