LS350 DIP 8L

TIGHTLY MATCHED, MONOLITHIC DUAL
NOVA-Teilenummer:
298-2009067-LS350 DIP 8L
Hersteller-Teile-Nr:
LS350 DIP 8L
Standardpaket:
1
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 25V 10mA 200MHz 500mW Through Hole 8-DIP

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KategorieTransistoren – Bipolar (BJT) – Arrays
HerstellerLinear Integrated Systems, Inc.
RoHS 1
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Gerätepaket des Lieferanten 8-DIP
Paket/Koffer8-DIP (0.300", 7.62mm)
Serie-
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 500mV @ 100µA, 1mA
Häufigkeit – Übergang200MHz
Strom – Kollektorabschaltung (max.)200pA (ICBO)
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)25V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 10mA
Transistortyp2 PNP (Dual)
Leistung max 500mW
Andere Namen3218-LS350DIP8L

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