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Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 25V 10mA 200MHz 500mW Through Hole 8-DIP
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays | |
Hersteller | Linear Integrated Systems, Inc. | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | 8-DIP | |
Paket/Koffer | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | |
Serie | - | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 500mV @ 100µA, 1mA | |
Häufigkeit – Übergang | 200MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 200pA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 25V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 10mA | |
Transistortyp | 2 PNP (Dual) | |
Leistung max | 500mW | |
Andere Namen | 3218-LS350DIP8L |
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