Bitte geben Sie Ihre Daten in das Formular ein. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen und Ihnen das CAD-Modell zukommen lassen.
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA - 350mW Through Hole TO-78-6
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays | |
Hersteller | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-78-6 | |
Paket/Koffer | TO-78-6 Metal Can | |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/336 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 300 @ 1mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA | |
Häufigkeit – Übergang | - | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 10µA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 60V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 50mA | |
Transistortyp | 2 PNP (Dual) | |
Leistung max | 350mW | |
Andere Namen | 1086-20921-MIL 1086-20921-ND 150-JAN2N3811U 1086-20921 |
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.