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Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 500mA 50MHz 600mW Through Hole TO-78-6
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays | |
Hersteller | Central Semiconductor Corp | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-78-6 | |
Paket/Koffer | TO-78-6 Metal Can | |
Serie | - | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 30 @ 1mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 1.3V @ 5mA, 50mA | |
Häufigkeit – Übergang | 50MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 50nA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 40V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 500mA | |
Transistortyp | 2 NPN (Dual) | |
Leistung max | 600mW |
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