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Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 400V 4A - 3W Through Hole 8-DIP
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays | |
Hersteller | STMicroelectronics | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | 8-DIP | |
Basisproduktnummer | STD845 | |
Paket/Koffer | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | |
Serie | - | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 12 @ 2A, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 500mV @ 1A, 4A | |
Häufigkeit – Übergang | - | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 250µA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 400V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 4A | |
Transistortyp | 2 NPN (Dual) | |
Leistung max | 3W | |
Andere Namen | 497-10769-5 |
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