HN3C51F-GR(TE85L,F

TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
NOVA-Teilenummer:
298-2011470-HN3C51F-GR(TE85L,F
Hersteller-Teile-Nr:
HN3C51F-GR(TE85L,F
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6

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KategorieTransistoren – Bipolar (BJT) – Arrays
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten SM6
Basisproduktnummer HN3C51
Paket/KofferSC-74, SOT-457
Serie-
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Häufigkeit – Übergang100MHz
Strom – Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)120V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Transistortyp2 NPN (Dual)
Leistung max 300mW
Andere NamenHN3C51FGR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85LF)CT-ND
HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND
HN3C51F-GR(TE85LFDKR
HN3C51F-GR(TE85LF)TR
HN3C51F-GR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85L,F)
HN3C51FGR(TE85LFTR-ND
HN3C51F-GRTE85LF
HN3C51F-GR(TE85LFCT
HN3C51F-GR(TE85LF)CT
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR-ND

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