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Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays | |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | SM6 | |
Basisproduktnummer | HN3C51 | |
Paket/Koffer | SC-74, SOT-457 | |
Serie | - | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA | |
Häufigkeit – Übergang | 100MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 120V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA | |
Transistortyp | 2 NPN (Dual) | |
Leistung max | 300mW | |
Andere Namen | HN3C51FGR(TE85LFTR HN3C51F-GR(TE85LF)CT-ND HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND HN3C51F-GR(TE85LFDKR HN3C51F-GR(TE85LF)TR HN3C51F-GR(TE85LFTR HN3C51F-GR(TE85L,F) HN3C51FGR(TE85LFTR-ND HN3C51F-GRTE85LF HN3C51F-GR(TE85LFCT HN3C51F-GR(TE85LF)CT HN3C51F-GR(TE85LF)DKR HN3C51F-GR(TE85LF)DKR-ND |
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