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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 250 mW Surface Mount PG-TSFP-3
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – einzeln, vorgespannt | |
Hersteller | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | PG-TSFP-3 | |
Serie | - | |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms | |
Widerstand – Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 20mA | |
Häufigkeit – Übergang | 200 MHz | |
Paket/Koffer | SOT-723 | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100 mA | |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased | |
Leistung max | 250 mW | |
Andere Namen | BCR 153F E6327-ND BCR153FE6327 BCR153FE6327XT SP000014444 |
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